芯片是專用電流模式PWM控制器。高壓功率MOS晶體管與控制器集成在同一硅芯片上，并具有8個(gè)引腳。內(nèi)部控制電路使芯片具有以下特征。脈寬調(diào)制開關(guān)頻率固定在60kHZOVD。引腳電壓范圍很寬，為9到38伏，可以適應(yīng)輔助電源的變化。對于充電器來說尤其如此。
在輕負(fù)載下（MOSFET漏極電流僅為最大極限IDlim的12％，例如Soma），電路斷開進(jìn)入自動模式。此時(shí)，MOS管電流要求非常小，導(dǎo)通時(shí)間非常短，因而損失少量。一個(gè)開關(guān)周期使電路平滑。提出了調(diào)整要求。這是后面提到的跳過周期的操作模式，即漏極電壓波形。負(fù)載越輕，跳過的周期越多。在過電壓下，電路工作在唱歌模式。
電流模式控制。 VD。有一個(gè)欠壓阻斷功能，并有一個(gè)返回差異。具有溫度，過流，過壓保護(hù)功能，并可自動重啟。驅(qū)動能力隨輸入電壓的范圍而變化。每個(gè)LED顯示屏的引腳電壓約為3.5V，ViPiL2a和ViPr22a的輸出電壓可在最低3.5V至14V0之間變化，具體取決于所驅(qū)動的LED顯示屏的數(shù)量。
